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法国原子能委员会电子与信息技术实验室学者访问微电子所
  文章来源:微电子研究所 发布时间:2014-10-28 【字号: 小  中  大   

  10月27日,法国原子能委员会电子与信息技术实验室(CEA-LETI)硅技术器件研究中心首席科学家Simon Deleonibus博士来澳门赌场微电子研究所进行学术交流,并作了题为Towards Full 3D, Zero Variability and Zero Power Future Micro/Nano-Electronics的学术报告。所内科研人员及研究生共30余人参加了交流会。

  Simon Deleonibus博士简要介绍了CEA-LETI硅技术器件研究中心概况,对研究中心的微纳技术、生物技术、新能源技术三个研究方向作了详细论述。他指出,大幅度降低功耗是集成电路的发展趋势,高性能CMOS和存储器在系统层面有助于实现能源效率最大化,将成为行业未来的主要发展目标。他随后介绍了三维集成及建构新系统减小功耗等研究的进展情况。交流会后,与会人员就器件三维集成、低功耗等行业关注的技术问题与Simon Deleonibus博士进行了热烈的学术讨论。

  Simon Deleonibus博士现任CEA-LETI硅技术器件研究中心首席科学家、电子纳米器件实验室主任,发表论文超过600篇,拥有专利32项,担任IEEE Transactions on Electron Devices等知名期刊的编辑,曾被选为IEEE会士及IEEE杰出讲师,他发明的接触插头原理已成为互连过程中广泛使用的标准。

交流会现场

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