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德国达姆施塔特工业大学Heinz Seggern教授到理化所交流
  文章来源:理化技术研究所 发布时间:2012-10-15 【字号: 小  中  大   

 

Heinz von Seggern教授作报告

应澳门赌场理化技术研究所特种感光材料研究中心、“理化青年论坛”暨“澳门赌场青年创新促进会”理化所分会共同邀请,10月12日下午,德国达姆施塔特工业大学Heinz von Seggern教授来理化所进行学术访问,并作了题为Recently Process in the Physical Understanding of the X-Ray Storage Phosphor CsBr:Eu2+的学术报告。

报告中,H. von Seggern教授介绍了X射线存储荧光粉的光激励发光机理及其在射线成像领域的应用与发展,重点讲述了对CsBr:Eu2+针状微晶体的研究。作为这一先进材料的开发应用先锋,H. von Seggern教授及其同事发现O2-和H2O掺杂对该材料的光激励发光效应有显著增强,他们用DFT理论分析计算深入解释了增强效应。

H. von Seggern教授的报告受到理化所多个研究单元的老师和同学的关注,乐凯胶片集团公司的研发人员也专程前来参与了此次交流活动。学术报告后,H. von Seggern教授还与理化所研究人员交流了晶体物理学和OLEDs的热点问题。

H. von Seggern教授曾先后在美国贝尔实验室、德国西门子公司等从事研究开发,目前在达姆施塔特工业大学的主要研究方向为有机电子材料、铁电体材料、无机荧光粉的设计及应用。他在Nature Materials、Physical Review Letters、Advanced Materials、Chemistry of Materials等学术杂志上发表论文230多篇,其工作被引用超过4000次,在多个领域的成果都备受同行关注。

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